在厚膜导体浆料中，除了粒度合适的金属粉或金属有机化合物外，还有粒度和形状都适宜的玻璃粉或金属氧化物，以及悬浮固体微粒的有机载体。玻璃可把金属粉牢固地粘结在基片上，形成厚膜导体。常用无碱玻璃，如硼硅铅玻璃。

  厚膜电阻是厚膜集成电路中发展早、制造水平一种厚膜元件，可以制造各种电阻。对厚膜电阻的主要要求是电阻率大、阻值温度系数小、稳定性好。

  与导体浆料相同,电阻浆料也有三种成分：导体、玻璃和载体。但是，它的导体通常不是金属元素，而是金属元素的化合物，或者是金属元素与其氧化物的复合物。常用的浆料有铂基、钌基和钯基电阻浆料。

  厚膜介质用来制造微型厚膜电容器。对它的基本要求是介电常数大、损耗角正切值小、绝缘电阻大、耐压高、。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。介质浆料是由低熔玻璃和陶瓷粉粒均匀地悬浮于有机载体中而制成的。常用的陶瓷是钡、---、钙的钛酸盐陶瓷。改变玻璃和陶瓷的相对含量或者陶瓷的成分，可以得到具有各种性能的介质厚膜，以满足制造各种厚膜电容器的需要。

  厚膜绝缘用作多层布线和交叉线的绝缘层。对它的要求是绝缘电阻高、介电常数小，并且线膨胀系数能与其他膜层相匹配。

?体;color:black;mso-ftt-kerning:0pt>; 对于1/8w以上的功率电阻，结构形式如图5：

在绝缘浆料中常用的固体粉粒是无碱玻璃和陶瓷粉粒。

微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同，常用铝或钽作电容器的下极板，铝或金作上极板。

　　对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。根据印刷工艺要求和基片垂直度及尺寸公差，除按上述“负”公差设计外，还应留至少0。的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(ni-cr)、铬-钴(cr-co)、镍-铬-硅(ni-cr-si)、铬-硅(cr-si)、铬-氧化硅(cr-sio)、镍铬-二氧化硅（nicr－sio2）。属于钽基系的有钽(ta)、氮化钽(ta2n)、钽-铝-氮(ta－al－n)、钽-硅(ta-si)、钽-氧-氮(ta-o-n)、钽-硅-氧(ta-si-o)等。

　　对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得的仍是硅系和钽系。在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装---立的微型元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。即氧化硅(sio)、二氧化硅(sio2)、氧化钽(ta2o5)和它们的双层复合结构：ta2o5-sio和ta2o5-sio2。有时还用氧化钇(y2o3)，氧化铪(hfo2)和钛酸钡(batio3)等。

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　　为了减小薄膜网路中的寄生效应，绝缘薄膜的介电常数应该很小,因而采用氧化硅(sio)、二氧化硅(sio2)、氮化硼(bn)、氮化铝(aln)、氮化硅 (si3n4)等，适合于微波电路。

 cvt（continuously variable transmission），直接翻译就是连续可变传动，也就是我们常说的无级变速箱，顾名思义就是没有明确具体的档位，操作上类似自动变速箱，但是速比的变化却不同于自动变速箱的跳挡过程，而是连续的，因此动力传输持续而顺畅。(9)集成芯片衬垫的设计集成芯片衬垫，每边的尺寸应比芯片尺寸大0。

『cvt变速箱结构』

『无级变速箱工作原理视频』

　　cvt传动系统里，传统的齿轮被一对滑轮和一只钢制皮带所取代，每个滑轮其实是由两个椎形盘组成的v形结构，引擎轴连接小滑轮，透过钢制皮带带动大滑轮。---就出在这特殊的滑轮上：cvt的传动滑轮构造比较奇怪，分成活动的左右两半，可以相对接近或分离。这是因为靶（阴极），等离子体，和被溅零件/真空腔体可形成回路。锥型盘可在液压的推力作用下收紧或张开，挤压钢片链条以此来调节v型槽的宽度。当锥型盘向内侧移动收紧时，钢片链条在锥盘的挤压下向圆心以外的方向（离心方向）运动，相反会向圆心以内运动。这样，钢片链条带动的圆盘直径增大，传动比也就发生了变化。